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AOP806

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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    联系人:李小姐

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP806 技术参数
  • AOP610 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 7.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):630pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:5,000 AOP609 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 4.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):570pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:5,000 AOP607 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 4.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:5,000 AOP605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):820pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:5,000 AONX36372 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L AOT10N65 AOT10T60L AOT10T60P AOT10T60PL AOT1100L
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