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AOT-3228UV21B-ZO

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  • AOT-3228UV21B-ZO
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  • 集好芯城
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    联系人:张育豪 13360528695

    电话:0755-23607487

    地址:深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

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    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

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    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

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  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
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    联系人:李小姐/肖先生

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

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  • AOT-3228UV21B-ZO
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

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AOT-3228UV21B-ZO 技术参数
  • AOT2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:74W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AOT29S50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 14.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1312pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT296L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.5A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT292L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6775pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT416L AOT418L AOT424 AOT42S60L AOT430 AOT440 AOT460 AOT462 AOT462_001 AOT462L AOT470 AOT472 AOT474 AOT474_002 AOT480L AOT482L AOT4N60 AOT4S60L
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