AOT5B65M1

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说明
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AOT5B65M1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

AOT5B65M1
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
TO220
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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功能描述
IGBT 650V 5A TO220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
Alpha IGBT??
包装
管件
零件状态
有效
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
10A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
15A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
1.98V @ 15V，5A
功率 - 最大值
83W
开关能量
80μJ（开），70μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
14nC
25°C 时 Td（开/关）值
8.5ns/106ns
测试条件
400V，5A，60 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
195ns
封装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
标准包装
1,000

AOT5B65M1 技术参数

AOT5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 82.4W TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:82.4W 开关能量:140μJ（开），40μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/83ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:98ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT502 功能描述:MOSFET N-CH 33V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:33V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT500 功能描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:33V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:89nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 15V 功率 - 最大值:115W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AOT4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:615pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT8N50 AOT8N60 AOT8N65 AOT8N65_001 AOT8N80L AOT8N80L_001 AOT9N40L AOT9N50 AOT9N70 AOTF10B60D AOTF10B60D2 AOTF10B65M1 AOTF10B65M2 AOTF10N50FD AOTF10N50FD_001 AOTF10N60 AOTF10N60_003 AOTF10N60_006