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AOTF10T60L

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • AOTF10T60L
    AOTF10T60L

    AOTF10T60L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 8000

  • isc,iscsemi

  • TO-220F

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOTF10T60L
    AOTF10T60L

    AOTF10T60L

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • TO-220-3F

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
AOTF10T60L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 过期
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 10A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 700毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1346pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 43W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装
  • TO-220-3F
  • 标准包装
  • 1
AOTF10T60L 技术参数
  • AOTF10T60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:管件 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1,000 AOTF10T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1346pF @ 100V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF10N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):980 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3160pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF10N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1645pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF10N60L_002 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L AOTF12N30 AOTF12N50 AOTF12N60 AOTF12N60FD AOTF12N60FD_001 AOTF12N60L AOTF12N65 AOTF12N65A AOTF12T50P AOTF12T50PL AOTF12T60 AOTF12T60L AOTF12T60P
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