AOTF12T60L

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价格
说明
操作

AOTF12T60L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
8000
isc,iscsemi
TO-220F
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOTF12T60L
深圳市贸盛微电子有限公司
深圳市贸盛微电子有限公司
联系人：周先生
电话：0755-8220875218127068687
地址：深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G
资质：营业执照
30000
AOS
TO220F
NA
-
原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1954pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
520 毫欧 @ 6A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
1,000

AOTF12T60L 技术参数

AOTF12T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1954pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:1,000 AOTF12T50PL 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1477pF @ 100V 功率 - 最大值:33W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF12T50P 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1477pF @ 100V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF12N65A 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期标准包装:1 AOTF12N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:720 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF15S60L AOTF15S65L AOTF16N50 AOTF18N65 AOTF18N65L AOTF190A60L AOTF20B65M1 AOTF20B65M2 AOTF20C60 AOTF20C60P AOTF20C60P_001 AOTF20C60PL AOTF20N40L AOTF20N60 AOTF20S60L AOTF2142L AOTF2210L AOTF22N50