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AOTF190A60CL

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    AOTF190A60CL

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 8000

  • isc,iscsemi

  • TO-220F

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOTF190A60CL
    AOTF190A60CL

    AOTF190A60CL

  • 深圳市宏浩通电子科技有限公司
    深圳市宏浩通电子科技有限公司

    联系人:王利娟

    电话:13823141664

    地址:华强北街道上步工业区305栋3楼B08

  • 33000

  • AOS

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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AOTF190A60CL 技术参数
  • AOTF18N65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3785pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF18N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3785pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF16N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):370 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2297pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF15S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):841pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF15S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):717pF @ 100V 功率 - 最大值:27.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF20S60L AOTF2142L AOTF2210L AOTF22N50 AOTF22N50L AOTF240L AOTF256L AOTF25S65 AOTF2606L AOTF260L AOTF2610L AOTF2618L AOTF262L AOTF266L AOTF27S60L AOTF286L AOTF288L AOTF290L
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