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AOTF22S502

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    AOTF22S502

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • AOS

  • TO-220F

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AOTF22S502 技术参数
  • AOTF22N50L 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):83nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3710pF @ 25V 功率 - 最大值:39W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF22N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):83nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3710pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2210L 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Ta),13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2065pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2142L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 112A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):112A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8320pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):41W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:50 AOTF20S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):199 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:37.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF27S60L AOTF286L AOTF288L AOTF290L AOTF2910L AOTF2916L AOTF2918L AOTF292L AOTF296L AOTF298L AOTF29S50L AOTF2N60 AOTF2N60L AOTF3N100 AOTF3N50 AOTF3N80 AOTF3N90 AOTF404
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