APT10SCD65K全国供应商 APT10SCD65K资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

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价格
说明
操作

APT10SCD65K
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

APT10SCD65K
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1230
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT10SCD65K
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
21444
MICROSEMI/美高森美
TO-220
21+
-
原厂原装现货

APT10SCD65K
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
236
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT10SCD65K
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
TO-220-2L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT10SCD65K
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
MICROSEMI/美高森美
TO-220
23+
-
原装正品欢迎咨询

APT10SCD65KCT
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
486
Microsemi Corporation
TO-220-3
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

APT10SCD65K
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4793
Microsemi
TO-220
2236+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE

APT10SCD65K 技术参数

APT10SCD120K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 工作温度 - 结:- 标准包装:1 APT10SCD120BCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:600pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT10SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 36A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:36A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:600pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:30 APT10M11JVRU3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:142A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 71A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT10M11JVRU2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:142A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 71A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8600pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX