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APT1201R6BVR

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
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  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ADVANCED POWER TECHNOLOGI

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • APT

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 12946

  • APT

  • 直插/贴片

  • 2024+

  • -
  • 绝对现货

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 7844

  • TO2347

  • 15+

  • -
  • 绝对公司原装现货

  • APT1201R6BVRG
    APT1201R6BVRG

    APT1201R6BVRG

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2520

  • MICROSEMI

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新进口

  • -
  • 授权代理分销

  • APT1201R6BVRG
    APT1201R6BVRG

    APT1201R6BVRG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 30000

  • isc,iscsemi

  • TO-247

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 89

  • APT

  • TO-247

  • 假一赔十!

  • -
  • 绝对原装现货!

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • APT

  • 价格优势

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APT1201R6BVR
    APT1201R6BVR

    APT1201R6BVR

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • APT

  • 价格优势

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

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  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT1201R6BVR 技术参数
  • APT1201R4BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT11N80KC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 7.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 7.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT11GF120KRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 开关能量:300μJ(开),285μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td(开/关)值:7ns/100ns 测试条件:800V,8A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT11GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 开关能量:300μJ(开),285μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td(开/关)值:7ns/100ns 测试条件:800V,8A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W
配单专家

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