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APT1201R6BVRG

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    APT1201R6BVRG

    APT1201R6BVRG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

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    APT1201R6BVRG

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  • 北京京华特科技有限公司
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    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

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  • MICROSEMI

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新进口

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APT1201R6BVRG 技术参数
  • APT1201R4BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT11N80KC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 7.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 7.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT11GF120KRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 开关能量:300μJ(开),285μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td(开/关)值:7ns/100ns 测试条件:800V,8A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT11GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 开关能量:300μJ(开),285μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td(开/关)值:7ns/100ns 测试条件:800V,8A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W
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