APT14M100S

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT14M100S
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
201
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APT14M100S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
0
isc,iscsemi
TO-268
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT14M100S
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
62520
Microchip Technology
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

APT14M100S
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
D3S
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT14M100S
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

APT14M100S 技术参数

APT14M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT14F100S 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道、FREDFET FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:980 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT14F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:980 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT14050JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:1400V（1.4kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:820nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT13GP120KG 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:41A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 开关能量:114μJ（开），165μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/28ns 测试条件:600V，13A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG APT15DQ100BCTG APT15DQ100BG APT15DQ100KG APT15DQ120BCTG APT15DQ120BG