配单专家企业名单

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT17ZTR-G1
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
DIODES/美台
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

APT17ZTR-G1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
14906
DIODES
TO-92
21+
-
原厂原装现货

APT17ZTR-G1
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
30000
DIODES/美台
SMD
2020+
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

APT17ZTR-G1
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
500000
BCD
TO92/TO23
2024+
-
原装现货价格优势

APT17ZTR-G1 贴片三极管
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
DIODES/美台
TO-92
23+
-
原装正品欢迎咨询

APT17ZTR-G1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
70000
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

APT17ZTR-G1
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
DIODES/美台
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

APT17ZTR-G1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4636
DIODES
TO-92
2218+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
BCDSEMI
制造商全称
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
功能描述
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR

APT17ZTR-G1 技术参数

APT17NTR-G1 功能描述:TRANS NPN 480V SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:480V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10mA，20V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 APT17N80SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2250pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:30 APT17N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2250pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 APT17F80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:122nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3757pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:580 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:30 APT17F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:580 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:122nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3757pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT200GN60JDQ4 APT200GN60JDQ4G APT200GN60JG APT200GT60JR APT2012CGCK APT2012EC APT2012F3C APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK APT2012MGC APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F

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