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APT2×10DD100J

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APT2×10DD100J 技术参数
  • APT19M120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9670pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT19F100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8500pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT18M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3760pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 9A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 APT18M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3760pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT18M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4845pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK APT2012MGC APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV
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