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APT25GF100BN

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | TO-247

APT25GF100BN 技术参数

APT24M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4595pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:390 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT24M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:390 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4595pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT24M120L 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:680 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8370pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT24M120B2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:630 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8370pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT24F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:90nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3630pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:335W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:240 毫欧 @ 11A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT25GR120BD15 APT25GR120BSCD10 APT25GR120S APT25GR120SD15 APT25GR120SSCD10 APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B