配单专家企业名单

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说明
操作

APT25GP120BDF1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT25GP120BDF1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
专业经营三极管货源充足品质保证
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

APT25GP120BDF1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
28146
APT
TO-247
21+
-
原厂原装现货

APT25GP120BDF1
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APT
NULL
22+
-
十年配单，只做原装

APT25GP120BDF1
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13238
APT
直插/贴片
2024+
-
绝对现货

APT25GP120BDF1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3620
APT
TO-247
2210+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

APT25GP120BDF1
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT25GP120BDF1
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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APT25GP120BDF1 技术参数

APT25GN120SG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:- 输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V，25A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT25GN120BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:2.15μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V，25A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT25GN120B2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:272W 开关能量:2.15μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:155nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT25GLQ120JCU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 45A 170W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:170W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT24M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4595pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:390 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT25GR120SSCD10 APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2

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