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APT40DC60HJ

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  • APT40DC60HJ
    APT40DC60HJ

    APT40DC60HJ

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 9000

  • isc,iscsemi

  • ISOTOP,SOT-227

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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APT40DC60HJ PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE DIODE
APT40DC60HJ 技术参数
  • APT40DC120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 1200V 40A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相,碳化硅肖特基 电压 - 峰值反向(最大值):1200V 电流 - DC 正向(If):40A 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT39M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 28A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT39F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 28A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT38N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):38A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):112nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2826pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):278W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):99 毫欧 @ 18A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 APT38N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):99 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):112nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2826pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G APT40GP60BG APT40GP60JDQ2 APT40GP60SG APT40GP90B2DQ2G APT40GP90BG APT40GP90J APT40GP90JDQ2 APT40GR120B APT40GR120B2D30 APT40GR120B2SCD10 APT40GR120S APT40GT60BRG APT40M35JVFR
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