APT40DQ120BCTG全国供应商 APT40DQ120BCTG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

APT40DQ120BCTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT(MICROSEMI)
TO-247
13+
-
全新原装100%正品保证质量

APT40DQ120BCTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT(MICROSEMI)
TO-247
13+
-
全新原装100%正品保证质量

APT40DQ120BCTG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配单，只做原装

APT40DQ120BCTG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
TO-247B
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT40DQ120BCTG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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您是不是要找： APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ APT40DS10HJ APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3

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功能描述
DIODE ULT FAST 2X40A 1200V TO247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列
系列
-
其它有关文件
STTH10LCD06C View All Specifications
标准包装
1,000
系列
-
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
2V @ 5A
电流 - 在 Vr 时反向漏电
1µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）
5A
电压 - (Vr)（最大）
600V
反向恢复时间(trr)
50ns
二极管类型
标准
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置
1 对共阴极
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1553 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-10107-2

APT40DQ120BCTG 技术参数

APT40DQ100BG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 40A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:3V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 APT40DQ100BCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V (1kV) 40A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:3V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT40DC60HJ 功能描述:RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:不適用於新設計二极管类型:单相技术:碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 40A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:800μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT40DC120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 1200V 40A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相，碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:1200V 电流 - DC 正向（If）:40A 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT39M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G APT40GP60BG APT40GP60JDQ2 APT40GP60SG APT40GP90B2DQ2G APT40GP90BG APT40GP90J APT40GP90JDQ2 APT40GR120B APT40GR120B2D30 APT40GR120B2SCD10 APT40GR120S APT40GT60BRG APT40M35JVFR APT40M42JN APT40M70JVFR APT40M70LVFRG