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说明
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APT40GP90JDF2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT40GP90JDF2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT40GP90JDF2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13484
APT
直插/贴片
2024+
-
代理商库房现货

APT40GP90JDF2
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
24678
MICROSEMI/美高森美
MODULE
21+
-
原厂原装现货

APT40GP90JDF2
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT40GP90JDF2
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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APT40GP90JDF2 技术参数

APT40GP90J 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 68A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:68A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:825μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/75ns 测试条件:600V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT40GP90B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:101A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:795μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/90ns 测试条件:600V，40A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT40GP60SG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 功率 - 最大值:543W 开关能量:385μJ（开），352μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/64ns 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3 [S] 标准包装:1 APT40GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:86A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.61nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40M70LVFRG APT40M75JN APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L

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