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APT45GR65SSCD10

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APT45GR65SSCD10 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 有效
  • IGBT 类型
  • NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 118A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
  • 224A
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 2.4V @ 15V,45A
  • 功率 - 最大值
  • 543W
  • 开关能量
  • *
  • 输入类型
  • 标准
  • 栅极电荷
  • 203nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值
  • 15ns/100ns
  • 测试条件
  • 433V,45A,4.3 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr)
  • 80ns
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • D3Pak
  • 标准包装
  • 1
APT45GR65SSCD10 技术参数
  • APT45GR65BSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT45GR65B2DU30 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):92A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 开关能量:900μJ(开),580μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 电流 - 集电极截止(最大值):750μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.9V @ 15V,45A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.94nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG
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