APT50GLQ65JU2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT50GLQ65JU2
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
13823
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原厂原装现货

APT50GLQ65JU2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT50GLQ65JU2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
POWER MODULE - IGBT
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
升压斩波器
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
功率 - 最大值
220W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
50μA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）
3.1nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
ISOTOP?
标准包装
1

APT50GLQ65JU2 技术参数

APT50GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.25nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.25nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GF120LRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ（开）， 2.64mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:340nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/260ns 测试条件:800V，50A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT50GF120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:521W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.32nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ（开）， 2.64mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:340nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/260ns 测试条件:800V，50A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG