APT50GP60LDLG

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说明
操作

APT50GP60LDLG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT50GP60LDLG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-264
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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您是不是要找： APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 600V 150A TO-264
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT50GP60LDLG 技术参数

APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:525μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 开关能量:465μJ（开），637μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/83ns 测试条件:400V，50A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 开关能量:465μJ（开），635μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/85ns 测试条件:400V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:107A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 开关能量:1185μJ（开），1565μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:325nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/230ns 测试条件:400V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2