APT60GT60JRDQ3

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT60GT60JRDQ3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT60GT60JRDQ3
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
IGBT 600V 105A 379W SOT227
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
Thunderbolt IGBT®
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APT60GT60JRDQ3 技术参数

APT60GT60JR 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 功率 - 最大值:378W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:80μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT60GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 100A 500W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，60A 功率 - 最大值:500W 开关能量:3.4mJ 输入类型:标准栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/395ns 测试条件:- 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT60GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 功率 - 最大值:378W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:80μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.59nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT60GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 功率 - 最大值:378W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:80μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.59nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT60GF120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 149A 625W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:149A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.08nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60M80L2VRG APT60N60BCSG APT60N60SCSG APT60N60SCSG/TR APT60S20B2CTG APT60S20BG APT60S20SG APT60S20SG/TR APT64GA90B APT64GA90B2D30 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L