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APT60M60JVR

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  • APT60M60JVR
    APT60M60JVR

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • 原厂原装

  • 23+

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  • 只做原装正品

  • APT60M60JVR
    APT60M60JVR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 86530

  • APT

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  • APT60M60JVR
    APT60M60JVR

    APT60M60JVR

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 9000

  • APT

  • 原厂原装

  • 19+

  • -
  • 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

  • APT60M60JVR
    APT60M60JVR

    APT60M60JVR

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • APT

  • 原厂原装

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

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APT60M60JVR 技术参数
  • APT60M60JLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):289nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12630pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60M60JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):289nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12630pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60GT60JR 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):93A 功率 - 最大值:378W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A 电流 - 集电极截止(最大值):80μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT60GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 100A 500W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A 功率 - 最大值:500W 开关能量:3.4mJ 输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/395ns 测试条件:- 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT60GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):93A 功率 - 最大值:378W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A 电流 - 集电极截止(最大值):80μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.59nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT60N60SCSG APT60N60SCSG/TR APT60S20B2CTG APT60S20BG APT60S20SG APT60S20SG/TR APT64GA90B APT64GA90B2D30 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40
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