APT75GN60BDQ2G

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说明
操作

APT75GN60BDQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Microchip Technology
TO-247-3
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

APT75GN60BDQ2G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
147
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT75GN60BDQ2G 技术参数

APT75GN60B2DQ3G 功能描述:IGBT 600V 155A 536W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:155A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，75A 功率 - 最大值:536W 开关能量:2500μJ（开），2140μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:485nC 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/385ns 测试条件:400V，75A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:- 标准包装:30 APT75GN120LG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 开关能量:8620μJ（开），11400μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:425nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/620ns 测试条件:800V，75A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT75GN120JDQ3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:30 APT75GN120JDQ3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT75GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:30 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K APT7M120B APT7M120S APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG