APT85GR120L全国供应商 APT85GR120L资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT85GR120L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APT85GR120L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
660
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT85GR120L
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
309
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APT85GR120L
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
44637
MICROSEMI
TO-264
21+
-
原厂原装现货

APT85GR120L
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
MICROSEMI
原厂原装
1650+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

APT85GR120L
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
50
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

APT85GR120L
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
TO-264
17+
-
全新原装现货

APT85GR120L
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
7
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT85GR120L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3100
isc,iscsemi
TO-264/TO-3PL
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT85GR120L
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1
Microsemi Corporation
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

APT85GR120L
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

APT85GR120L
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3883
MICROSEMI
TO-264
2231+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

APT85GR120L
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
MICROSEMI
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

APT85GR120L
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
50
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT SINGLE
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR
制造商
Microsemi
功能描述
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264

APT85GR120L 技术参数

APT85GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT85GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT85GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX? 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:660nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/300ns 测试条件:600V，85A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:1 APT84M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT84M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01

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