您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

APTC60DDAM24T3G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTC60DDAM24T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： APTC60DDAM35T3G APTC60DDAM45T1G APTC60DDAM70T1G APTC60DDAM70T3G APTC60DHM24T3G APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G

APTC60DDAM24T3G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTC60DDAM24T3G PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk

APTC60DDAM24T3G 技术参数

APTC60DAM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60DAM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60DAM18CTG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:143A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 71.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1036nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC60BBM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60AM83BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:停產 FET 类型:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG