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APT7846ODAA1

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  • APT7846ODAA1
    APT7846ODAA1

    APT7846ODAA1

  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
    深圳市奥伟斯科技有限公司

    联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理

    电话:0755-83254770

    地址:深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层

    资质:营业执照

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  • 专业存储IC,长期供应

  • APT7846ODAA1
    APT7846ODAA1

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 3000

  • EXAR

  • TSSOP

  • 2024+

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  • 代理原装现货假一赔十

  • APT7846ODAA1
    APT7846ODAA1

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

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  • 00+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • APT7846ODAA1
    APT7846ODAA1

    APT7846ODAA1

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • EXAR

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  • APT7846ODAA1
    APT7846ODAA1

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • APT7846ODAA1
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8765000

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  • APT7846ODAA1
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • APT7846ODAA1
    APT7846ODAA1

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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    好货芯城

    联系人:连先生

    电话:0755-23947614400-6606-101

    地址:华强北街道华强广场C座22K室

    资质:营业执照

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APT7846ODAA1 技术参数
  • APT77N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 44.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT77N60JC3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):640nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 44.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 37A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 37A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:1 APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L
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