您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

APTB1612-CHS28

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APTB1612-CHS28
    APTB1612-CHS28

    APTB1612-CHS28

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 18359

  • KINGBRIGHT

  • SMD0603X2

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • APTB1612-CHS28
    APTB1612-CHS28

    APTB1612-CHS28

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • KINGBRIGHT

  • SMD0603X2

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
APTB1612-CHS28 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
APTB1612-CHS28 技术参数
  • APT9M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2605pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):97A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 48.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:上次购买时间 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):380A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,95A 功率 - 最大值:446W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:29ns/226ns 测试条件:433V,95A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):208A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):400A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,95A 功率 - 最大值:892W 开关能量:3.12mJ(开),2.55mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:29ns/226ns 测试条件:433V,95A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G APTC60AM42F2G
配单专家

在采购APTB1612-CHS28进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APTB1612-CHS28产品风险,建议您在购买APTB1612-CHS28相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APTB1612-CHS28信息由会员自行提供,APTB1612-CHS28内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号