APTC90DSK12T1

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说明
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APTC90DSK12T1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP1
17+
-
全新原装现货

APTC90DSK12T1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
4000
isc,iscsemi
E51X40-12L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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1

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APTC90DSK12T1 技术参数

APTC90DDA12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双路降压斩波器） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90DAM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90DAM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超级结功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTC90AM60T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90AM60SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:59A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G