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APTGF180DA60D3G
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
APT
原厂原装
23+
-
只做原装正品

APTGF180DA60D3G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
180A/600V/IGBT+DIODE
2024+
-
全新现货价格优势

APTGF180DA60D3G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APTGF180DA60D3G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
APT
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

APTGF180DA60D3G
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
原厂原装
21+
-
只做原装正品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APTGF180DA60D3G 技术参数

APTGF180A60TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF165SK60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 230A 730W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGF165DA60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 230A 730W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGF165A60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 781W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:781W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGF15X120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 25A 140W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G APTGF300A120D3G APTGF300A120G APTGF300DA120D3G APTGF300DA120G APTGF300DU120G APTGF300SK120D3G APTGF300SK120G APTGF300U120DG

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