APTGT30DA170T1G

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型号
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封装
批号
价格
说明
操作

APTGT30DA170T1G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGT30DA170T1G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGT30DA170T1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP1
17+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT 1700V 45A 210W SP1
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT30DA170T1G 技术参数

APTGT30DA170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT30A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 50A 90W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT30A170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT30A170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 45A 210W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT300TL65G 功能描述:IGBT 650V SP6C 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 APTGT30X60T3G APTGT35A120D1G APTGT35A120T1G APTGT35DA120D1G APTGT35H120T1G APTGT35H120T3G APTGT35SK120D1G APTGT35X120T3G APTGT400A120D3G APTGT400A120G APTGT400A60D3G APTGT400DA120D3G APTGT400DA120G APTGT400DA60D3G APTGT400DU120G APTGT400SK120D3G APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G