APTGT50DA170D1G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGT50DA170D1G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
D1
17+
-
全新原装现货

APTGT50DA170D1G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
50A/1700V/IGBT+DIODE
2024+
-
全新现货价格优势

APTGT50DA170D1G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APTGT50DA170D1G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
APT
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

APTGT50DA170D1G
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
原厂原装
21+
-
只做原装正品

1/1页 40条/页共14条
1

您是不是要找： APTGT50DA170T1G APTGT50DA170TG APTGT50DDA120T3G APTGT50DDA60T3G APTGT50DH120T3G APTGT50DH120TG APTGT50DH170TG APTGT50DH60T1G APTGT50DH60TG

APTGT50DA170D1G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTGT50DA170D1G PDF下载

功能描述
IGBT 1700V 70A 310W D1
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT50DA170D1G 技术参数

APTGT50DA120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT50DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 270W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT50A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT50A170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT50A170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT50DSK120T3G APTGT50DSK60T3G APTGT50DU120TG APTGT50DU170TG APTGT50H120T3G APTGT50H120TG APTGT50H170TG APTGT50H60RT3G APTGT50H60T1G APTGT50H60T3G APTGT50SK120D1G APTGT50SK120TG APTGT50SK170D1G APTGT50SK170T1G APTGT50SK170TG APTGT50TA170PG APTGT50TA60PG APTGT50TDU170PG