APTGT50DSK60T3G

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型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGT50DSK60T3G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGT50DSK60T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGT50DSK60T3G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT50DSK60T3G 技术参数

APTGT50DSK120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双路降压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT50DH60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT50DH60T1G 功能描述:MOD IGBT 600V 80A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT50DH170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT50DH120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT50SK120TG APTGT50SK170D1G APTGT50SK170T1G APTGT50SK170TG APTGT50TA170PG APTGT50TA60PG APTGT50TDU170PG APTGT50TDU60PG APTGT50TL601G APTGT50TL60T3G APTGT50X60T3G APTGT580U60D4G APTGT600A60G APTGT600DA60G APTGT600DU60G APTGT600SK60G APTGT600U120D4G APTGT600U170D4G