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APTGT50TA60PG

配单专家企业名单
  • 型号
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  • APTGT50TA60PG
    APTGT50TA60PG

    APTGT50TA60PG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT50TA60PG
    APTGT50TA60PG

    APTGT50TA60PG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT50TA60PG
    APTGT50TA60PG

    APTGT50TA60PG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP6-P

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT50TA60PG
    APTGT50TA60PG

    APTGT50TA60PG

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • MICROCHIP

  • NA

  • 近两年

  • -
  • 查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

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  • 1
APTGT50TA60PG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P
  • RoHS
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGT50TA60PG 技术参数
  • APTGT50TA170PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三相 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT50SK170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT50SK170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT50SK170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 70A 310W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):6mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT50SK120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT600SK60G APTGT600U120D4G APTGT600U170D4G APTGT750U60D4G APTGT75A1202G APTGT75A120D1G APTGT75A120T1G APTGT75A120TG APTGT75A170D1G APTGT75A60T1G APTGT75DA120D1G APTGT75DA120T1G APTGT75DA120TG APTGT75DA170D1G APTGT75DA170T1G APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G APTGT75DH120T3G
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