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APTGT75SK120TG

配单专家企业名单
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  • APTGT75SK120TG
    APTGT75SK120TG

    APTGT75SK120TG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP4

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT75SK120TG
    APTGT75SK120TG

    APTGT75SK120TG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 50

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT75SK120TG
    APTGT75SK120TG

    APTGT75SK120TG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT75SK120TG
    APTGT75SK120TG

    APTGT75SK120TG

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人：吴小姐

    电话：13612858787

    地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 15000

  • MICROSEMI/美高森美

  • DIP

  • 21+原装

  • -

  • 庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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  • 功能描述
  • IGBT 1200V 110A 357W SP4
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 无
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGT75SK120TG 技术参数
  • APTGT75SK120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.34nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT75SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5345nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT75H60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT75H60T2G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGT75H60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGTQ100DA65T1G APTGTQ100DDA65T3G APTGTQ100H65T3G APTGTQ100SK65T1G APTGTQ150TA65TPG APTGTQ200A65T3G APTGTQ200DA65T3G APTGTQ200SK65T3G APTGTQ50TA65T3G APTGV100H60BTPG APTGV100H60T3G APTGV15H120T3G APTGV25H120BG APTGV25H120T3G APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG
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