APTM10DAM02G

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说明
操作

APTM10DAM02G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTM10DAM02G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM10DAM02G 技术参数

APTM10AM05FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:278A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM10AM02FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:495A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100UM65SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:145A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1068nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:28500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3250W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 72.5A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP6 封装/外壳:模块标准包装:1 APTM100UM65SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:145A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 72.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100UM65DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:145A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 72.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G