APTM120U10SCAVG

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APTM120U10SCAVG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

APTM120U10SCAVG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTM120U10SCAVG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
MOSFET PWR MOD 1200V 116A SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
POWER MOS 7®
标准包装
10
系列
*

APTM120U10SCAVG 技术参数

APTM120U10SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:116A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 58A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120U10DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:116A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 58A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120TDU57PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM120TA57FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:684 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM120SK68T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:816 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6696pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM20AM10STG APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG