您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2569页 >

APTM20DHM16T3G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
APTM20DHM16T3G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全称
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module
APTM20DHM16T3G 技术参数
  • APTM20DHM10G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):175A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 87.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):224nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20DHM08G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):208A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 104A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20DAM10TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):175A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 87.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):224nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20DAM08TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):208A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 104A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20DAM05G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):317A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 158.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):448nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG
配单专家

在采购APTM20DHM16T3G进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APTM20DHM16T3G产品风险,建议您在购买APTM20DHM16T3G相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APTM20DHM16T3G信息由会员自行提供,APTM20DHM16T3G内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号