APTMC120AM20CT1AG全国供应商 APTMC120AM20CT1AG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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APTMC120AM20CT1AG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯专营优势产品

APTMC120AM20CT1AG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
TUBE
1521+
-
全新原装现货

APTMC120AM20CT1AG
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
273529
MICROCHIP
con
24+
-
优势库存，原装正品

APTMC120AM20CT1AG
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
273529
MICROCHIP
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

APTMC120AM20CT1AG
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
273529
MICROCHIP
con
24+
-
优势库存，原装正品

APTMC120AM20CT1AG
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：王光伟
电话：15953799870
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
273529
MICROCHIP
con
24+
-

APTMC120AM20CT1AG
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王光伟
电话：15953799870
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
273529
MICROCHIP
con
24+
-

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Phase leg 1200V 17mOhm 360nC Power Module MOSFET
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APTMC120AM20CT1AG 技术参数

APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:131A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120AM09CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:295A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120AM08CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 200A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 10mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:490nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9500pF @ 1000V 功率 - 最大值:1100W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTM60H23FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:276 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5316pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK

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