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APTR3216CGCK

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
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  • 北京力通科信电子有限公司
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  • 功能描述
  • 标准LED-SMD Green 570nm Water Clear 40mcd
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 封装 / 箱体
  • 0402
  • LED 大小
  • 1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm
  • 照明颜色
  • Red
  • 波长/色温
  • 631 nm
  • 透镜颜色/类型
  • Water Clear
  • 正向电流
  • 30 mA
  • 正向电压
  • 2 V
  • 光强度
  • 54 mcd
  • 显示角
  • 130 deg
  • 系列
  • VLMx1500
  • 封装
  • Reel
APTR3216CGCK 技术参数
  • APTML60U12R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTML602U12R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML50UM90R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTML502UM90R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML20UM18R010T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 109A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:109A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ APTS012A0X43-SRZ APTS020A0X3-SRDZ APTS020A0X3-SRZ APTS020A0X43-SRZ APTS030A0X3-SRHZ
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