APU0063YE(APU0063A-A

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APU0063YE(APU0063A-AY)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
Anpen Electr
2000+
-
假一罚十，百分百原装正品

APU0063YE(APU0063A-A
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1000
Anpen
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

APU0063YE(APU0063A-AY)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
20704
AnpenElectr
最新批次
-
代理此型号.原装正品现货

APU0063YE(APU0063A-AY)
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
AnpenElectr
18+
-
优势库存，原装现货

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1

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APU0063YE(APU0063A-A 技术参数

APTSM120TAM33CTPAG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:112A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 60A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:408nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7680pF @ 1000V 功率 - 最大值:714W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:10 APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:272nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:148A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:544nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:* 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:337A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1224nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:有效标准包装:10 AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT