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APUF

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APUF 技术参数

APU11-108 (EU-Y) 功能描述:Y-TYPE POWER ADAPTOR -40-70C 100 制造商:atop technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 APU10-108 (US-Y) 功能描述:Y-TYPE POWER ADAPTOR -40-70C 100 制造商:atop technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 APTSM120TAM33CTPAG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:112A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 60A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:408nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7680pF @ 1000V 功率 - 最大值:714W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:10 APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:272nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（双），肖特基 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:148A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:544nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:10 AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT AP-UM001GT40EG-2T AP-UM002GAU0CS-2T