ATP153SM

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功能描述
CRYSTAL 15.360 MHZ 20PF SMD
RoHS
否
类别
晶体和振荡器 >> 晶体
系列
ATP-SM
标准包装
1
系列
ABLS2
类型
MHz 晶体
频率
3.579545MHz
频率稳定性
±30ppm
频率公差
±30ppm
负载电容
18pF
ESR（等效串联电阻）
180 欧姆
工作模式
基谐
工作温度
-40°C ~ 85°C
额定值
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
HC49/US
尺寸/尺寸
0.449" L x 0.185" W（11.40mm x 4.70mm）
高度
0.130"（3.30mm）
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1683 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
535-9855-1

ATP153SM 技术参数

ATP114-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP113-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:29.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP112-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP108-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.4 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:79.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK