AUIRF7734M2TR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AUIRF7734M2TR
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET? M2
19+
-
代理直销！进口原装正品！

AUIRF7734M2TR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
DIRECTFET? M2
17+
-
全新原装现货

AUIRF7734M2TR
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
DirectFET-MediumCan
刚到货
-
代理可含税开票

AUIRF7734M2TR
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

AUIRF7734M2TR
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET? M2
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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功能描述
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF7734M2TR 技术参数

AUIRF7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.95 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SC 供应商器件封装:DIRECTFET? SC 标准包装:4,800 AUIRF7675M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1360pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），45W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:56 毫欧 @ 11A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DIRECTFET? M2 封装/外壳:DirectFET? 等距 M2 标准包装:1 AUIRF7669L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），114A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 68A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5660pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:1 AUIRF7665S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta），14.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:62 毫欧 @ 8.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SB 供应商器件封装:DIRECTFET SB 标准包装:4,800 AUIRF7648M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），68A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 41A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2170pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N