AUIRFN8403TRPBF

配单专家企业名单

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说明
操作

AUIRFN8403TRPBF
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
IR
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

AUIRFN8403TRPBF.
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50000
IR
QFN5X6
1417+
-
全新原装现货

AUIRFN8403TRPBF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
50000
IR
QFN5X6
14+
-
公司现货库存，全新原装正品。假一罚十,可...

AUIRFN8403TRPBF.
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
IR
QFN
21+
-
百域芯优势实单必成可开13点增值税

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您是不是要找： AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFP1405 AUIRFP2602 AUIRFP2907 AUIRFP2907Z AUIRFP4004

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AUIRFN8403TRPBF 技术参数

AUIRFN8403TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3174pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）标准包装:1 AUIRFN8401TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2170pF @ 25V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PQFN（5x6）标准包装:4,000 AUIRFN7110TR 功能描述:MOSFET NCH 100V 58A PQFN 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3050pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）标准包装:4,000 AUIRFN7107TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:77nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.4W（Ta），125W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 45A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PQFN（5x6）封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 AUIRFL024NTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 2.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:2,500 AUIRFP4110 AUIRFP4310Z AUIRFP4409 AUIRFP4568 AUIRFP4568-E AUIRFR024N AUIRFR1018E AUIRFR120Z AUIRFR120ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR2405 AUIRFR2407 AUIRFR2607Z AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL AUIRFR3504 AUIRFR3504TRL