AUIRLI2505PBF.

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AUIRLI2505PBF. 低压MOS管
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
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TO-220
23+
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原装正品欢迎咨询

AUIRLI2505PBF.
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
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AUIRLI2505PBF. 技术参数

AUIRL7766M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 31A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:66nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5305pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRL7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 112A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:179A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 67A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:78nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5055pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRL7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.6 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2020pF @ 25V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SC 供应商器件封装:DIRECTFET? SC 标准包装:4,800 AUIRL3705ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 AUIRL3705ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRLR014NTRL AUIRLR024N AUIRLR024NTRL AUIRLR024Z AUIRLR024ZTRL AUIRLR120N AUIRLR120NTRL AUIRLR2703 AUIRLR2905 AUIRLR2905TRL AUIRLR2905Z AUIRLR2908 AUIRLR3105 AUIRLR3110Z AUIRLR3114Z AUIRLR3410 AUIRLR3410TR AUIRLR3410TRL