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AUIRLS3034 贴片三极管

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    AUIRLS3034 贴片三极管

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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AUIRLS3034 贴片三极管 技术参数
  • AUIRLS3034 功能描述:MOSFET N-CH 40V 343A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 195A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):162nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10315pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRLR3915 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1870pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-PAK(TO-252AA) 标准包装:75 AUIRLR3705Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 42A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR3636 功能描述:MOSFET N-CH 60V 99A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):49nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3779pF @ 50V 功率 - 最大值:143W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR3410TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL AUIRLS8409-7P AUIRLS8409-7TRL AUIRLSL3036 AUIRLU024Z AUIRLU2905 AUIRLU3110Z AUIRLU3114Z AUIRLZ24NS AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S
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