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AOB1608L

配单专家企业名单
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AOB1608L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 60V 140A TO263
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
AOB1608L 技术参数
  • AOB1606L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),178A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):102nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4500pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB15S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):841pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB15S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):717pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB15B65M1 功能描述:IGBT 650V 15A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.15V @ 15V,15A 功率 - 最大值:214W 开关能量:290μJ(开),200μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/116ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):317ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB15B60D 功能描述:IGBT 600V 30A 167W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.8V @ 15V, 15A 功率 - 最大值:167W 开关能量:420μJ(开),110μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:25.4nC 25°C 时 Td(开/关)值:21ns/73ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):196ns 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB256L AOB25S65L AOB2606L AOB2608L AOB260L AOB2618L AOB262L AOB264L AOB266L AOB270AL AOB270L AOB27S60L AOB280L AOB282L AOB284L AOB286L AOB288L AOB2904
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