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AON7754

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 30V 32A 8DFN
AON7754 技术参数
  • AON7752 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):605pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7702B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):810pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7702A_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),36A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7702 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),36A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4250pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7700 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4250pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900 AON7902 AON7932 AON7932_101 AON7934 AONR32314 AOP605 AOP607 AOP609 AOP610 AORN1001AT5 AORN100-1AT5 AORN1002AT5 AORN1003AT5 AORN10-1AT5
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