参数资料
| 型号： | A3P1000-1FGG256I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 153/220页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 1M 256-FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 |
| RAM 位总计： | 147456 |
| 输入/输出数： | 177 |
| 门数： | 1000000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FPBGA（17x17） |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页当前第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-24
Revision 13
Table 2-26 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
–2 Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI (per standard)
Standard I/O Banks
I/O Standard
D
rive
S
tre
ng
th
Equiv
.Sof
tware
Default
Dri
v
eS
tre
ng
th
Opt
ion
1
Slew
Rate
C
ap
a
citive
L
o
a
d
(pF
)
Ex
tern
al
Re
sistor
t DO
UT
(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(ns)
t EOUT
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
Un
it
s
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
8 mA
High
35
–
0.45 3.29 0.03 0.75 0.32 3.36 2.80 1.79 2.01
ns
3.3 V LVCMOS
Wide Range2
100 A 8 mA
High
35
–
0.45 5.09 0.03 1.13 0.32 5.09 4.25 2.77 3.11
ns
2.5 V LVCMOS
8 mA
High
35
–
0.45 3.56 0.03 0.96 0.32 3.40 3.56 1.78 1.91
ns
1.8 V LVCMOS
4 mA
High
35
–
0.45 4.74 0.03 0.90 0.32 4.02 4.74 1.80 1.85
ns
1.5 V LVCMOS
2 mA
High
35
–
0.45 5.71 0.03 1.06 0.32 4.71 5.71 1.83 1.83
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD-8B specification.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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参数描述 |
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| A3P1000-1FGG484 | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 标准包装:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:36864 输入/输出数:157 门数:250000 电源电压:1.425 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-FPBGA（17x17） |
| A3P1000-1FGG484I | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 标准包装:40 系列:SX-A LAB/CLB数:6036 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:- 输入/输出数:360 门数:108000 电源电压:2.25 V ~ 5.25 V 安装类型:表面贴装 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:484-BGA 供应商设备封装:484-FPBGA（27X27） |
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